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當前位置:首頁產品中心C系列氣相沉積爐CVD/PECVD系統等(deng)離子增強化(hua)學氣相沉積(ji)爐(PECVD系統(tong))

等離子增強化學氣相沉積爐(PECVD系統)

產品簡介

PECVD系統是一種基于等離子(zi)體化學(xue)氣相(xiang)沉積技術的薄膜沉積設備,能(neng)夠對各種材料進行薄膜沉積,包括金屬、半導體、絕緣體等。PECVD技術在(zai)微電子(zi)、光電、平板顯示、儲能(neng)等領域具有重(zhong)要的應用價值(zhi)。

產品型號:
更新時間:2023-05-17
廠商性質:生產廠家
訪問量:6206
詳(xiang)細介紹(shao)在線留言

一(yi)、PECVD系統產品應(ying)用

   PECVD工藝中由于等離子體中高速運行的電子撞擊到中性的反應氣體分子,就會使中性反應氣體分子變成碎片或處于激活的狀態容易發生反應;借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體,在局部形成離子體,而等離子體化學活性很強,很容易反應,在基片上沉積出所期望的薄膜;具有基本溫度低、沉積速率快、成膜質量好、針孔較少、不易龜裂等優點;

PECVD系統

PECVD系統

 

二(er)、產品特點

   1、整(zheng)機采用SUS304不銹鋼(gang)材(cai)質(zhi)(zhi),流線型外觀,真空(kong)吸附成型的優質(zhi)(zhi)高純氧化鋁多晶纖維固化爐膛,保(bao)溫性能好。

   2、爐(lu)子(zi)底(di)部裝有一對滑(hua)軌,移動平穩,可以手動從一端滑(hua)向另一端,實(shi)現(xian)快速的(de)加(jia)熱(re)和冷卻(que)。爐(lu)蓋(gai)可開啟,可以實(shi)時觀察(cha)加(jia)熱(re)的(de)物料。

   3、采用高(gao)純石(shi)英管(guan),高(gao)溫下化(hua)學穩定性強,耐腐蝕,熱膨脹(zhang)系數極小。

 ;  4、采用(yong)SUS304不銹鋼快速(su)法蘭(lan),通過用(yong)高溫“O”型圈緊密(mi)密(mi)封可(ke)獲(huo)得高真(zhen)空,一個卡箍就能完成法蘭(lan)的連接(jie),放、取物料方便快捷。

   5、加熱元件采用康(kang)奈(nai)爾發(fa)熱絲,表面負荷高、經久耐(nai)用。設計(ji)溫度1200℃,升溫速(su)率10℃/min。

   6、可(ke)選配多路(lu)質量(liang)(liang)流(liu)量(liang)(liang)計,數字顯示、氣(qi)(qi)體流(liu)量(liang)(liang)自動(dong)控(kong)制;內置不銹鋼混氣(qi)(qi)箱(xiang),每路(lu)氣(qi)(qi)體管路(lu)均配有逆(ni)止閥,可(ke)通過控(kong)制面板上的旋鈕(niu)來調節氣(qi)(qi)體流(liu)量(liang)(liang)。

   7、等離(li)子射頻(pin)電源:大射頻(pin)功率(lv)達500W,輸出頻(pin)率(lv)13.56MHz±0.005%,輸入電源 208-240VAC, 單相50/60Hz。

三、技術參數(shu)

型(xing)號

HTF1200-2.5/20-2M-LV-PE 

HTF1200-5/20-4M-LV-PE 

HTF1200-6/40-2M-HV-PE 

HTF1200-8/40-4M-HV-PE 

設計溫度(℃)

1200 

1200 

1200 

1200 

控溫精度(du)(℃)

±1 

±1

±1 

±1 

加熱(re)區直徑(jing)(mm)

25 

 50

60 

80 

加熱(re)區長(chang)度(mm)

200 

 200 

400 

400 

加熱(re)管長度(mm)

450 

450 

1000 

1000 

恒(heng)溫區長度(mm)

80 

80 

150 

150 

額(e)定電壓(V)

220 

220 

220 

220

額定功(gong)率(KVA)

1.2 

1.2 

射頻電(dian)源(yuan)功率(W)

5~300 

5~300 

5~500 

5~500 

真空(kong)機組(zu)

HTF-101 

HTF-101 

HTF-104 

HTF-104 

供氣系統(tong)

HTF-2F 

HTF-4F

HTF-2M 

HTF-4M 

 

   PECVD系統是一種(zhong)基于等(deng)離子體化學氣(qi)相沉積技術的薄(bo)膜沉積設備,能夠對各種(zhong)材料進行(xing)薄(bo)膜沉積,包括金屬、半導體、絕緣(yuan)體等(deng)。PECVD技術在微(wei)電子、光電、平(ping)板顯(xian)示、儲(chu)能等(deng)領(ling)域具有(you)重要(yao)的應用(yong)價值。
  PECVD系(xi)統主(zhu)要由(you)等離子體(ti)源、反應室、氣體(ti)進料裝置、真空泵(beng)組成。
  等(deng)(deng)離(li)(li)子(zi)(zi)體(ti)(ti)(ti)化學氣相沉(chen)積是一個非常重要(yao)的化學物理(li)過(guo)程,其原(yuan)理(li)是將(jiang)氣態前驅(qu)(qu)體(ti)(ti)(ti)通(tong)過(guo)電場等(deng)(deng)離(li)(li)子(zi)(zi)體(ti)(ti)(ti)化為反應中的激活態分(fen)子(zi)(zi)或離(li)(li)子(zi)(zi),并在(zai)特定(ding)條(tiao)件下沉(chen)積在(zai)襯(chen)底上。在(zai)PECVD系(xi)統中,首(shou)先將(jiang)反應室(shi)抽真空至(zhi)高(gao)真空狀態,然后(hou)在(zai)等(deng)(deng)離(li)(li)子(zi)(zi)體(ti)(ti)(ti)源產(chan)(chan)生高(gao)能電子(zi)(zi)通(tong)過(guo)電磁(ci)場加熱氣體(ti)(ti)(ti)形成等(deng)(deng)離(li)(li)子(zi)(zi)體(ti)(ti)(ti),對氣態前驅(qu)(qu)體(ti)(ti)(ti)進行等(deng)(deng)離(li)(li)子(zi)(zi)體(ti)(ti)(ti)化學反應,產(chan)(chan)生反應產(chan)(chan)物并在(zai)襯(chen)底上沉(chen)積為薄膜。
  PECVD系(xi)統有多種類型,根據(ju)不(bu)同的(de)離子(zi)(zi)化方式(shi)可(ke)以分為(wei)射(she)頻、微波(bo)等(deng)離子(zi)(zi)體(ti)排(pai)(pai)放等(deng)多種形式(shi)。其中,射(she)頻等(deng)離子(zi)(zi)體(ti)排(pai)(pai)放方式(shi)最為(wei)常見。
  射(she)頻(pin)等離子(zi)體排放(fang)方式是通(tong)過高頻(pin)電極(ji)(ji)和接收電極(ji)(ji)之間的(de)電場產生等離子(zi)體。在(zai)等離子(zi)體反(fan)應中,通(tong)過控制前驅體的(de)壓(ya)力、流(liu)量、疊加(jia)比例等參數,控制反(fan)應過程中的(de)離子(zi)濃(nong)度、溫(wen)度、速度等參數,從而得到所需要的(de)薄膜。
  PECVD技(ji)術具(ju)有多項優點,如沉(chen)積速度高、沉(chen)積質(zhi)量好(hao)、材(cai)料(liao)可控性高等,能夠滿足(zu)復雜材(cai)料(liao)沉(chen)積的要求。同時,PECVD技(ji)術也存在一些問題(ti),如材(cai)料(liao)不均勻性、產(chan)率低、設備成本高等。
  在(zai)(zai)實際應用(yong)中(zhong),通(tong)過調整PECVD系統(tong)的(de)工(gong)藝(yi)參數、優化設(she)備結構(gou)以(yi)及改進氣體進料裝置等措(cuo)施,可以(yi)克服其(qi)存(cun)在(zai)(zai)的(de)問題(ti),并在(zai)(zai)微電(dian)子(zi)、光電(dian)、平(ping)板顯(xian)示、儲能等領(ling)域獲得廣泛應用(yong)。
  綜上所述,PECVD系統是一種非(fei)常重(zhong)要的(de)(de)材料(liao)加工設(she)(she)備(bei),具有多項優點,但也面(mian)(mian)臨一些(xie)挑戰。在這方面(mian)(mian),需要通過不斷地技術創新和(he)設(she)(she)備(bei)改進,使其在實際應用(yong)中的(de)(de)性能不斷地得到(dao)提高(gao),從而更好地滿(man)足(zu)各種應用(yong)領域的(de)(de)需求。

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