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PRODUCTS CNTER當前位置:首頁產品中心C系列氣相沉積爐CVD/PECVD系統等(deng)離子增強化(hua)學氣相沉積(ji)爐(PECVD系統(tong))
PECVD系統是一種基于等離子(zi)體化學(xue)氣相(xiang)沉積技術的薄膜沉積設備,能(neng)夠對各種材料進行薄膜沉積,包括金屬、半導體、絕緣體等。PECVD技術在(zai)微電子(zi)、光電、平板顯示、儲能(neng)等領域具有重(zhong)要的應用價值(zhi)。
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PECVD工藝中由于等離子體中高速運行的電子撞擊到中性的反應氣體分子,就會使中性反應氣體分子變成碎片或處于激活的狀態容易發生反應;借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體,在局部形成離子體,而等離子體化學活性很強,很容易反應,在基片上沉積出所期望的薄膜;具有基本溫度低、沉積速率快、成膜質量好、針孔較少、不易龜裂等優點;
PECVD系統
二(er)、產品特點
1、整(zheng)機采用SUS304不銹鋼(gang)材(cai)質(zhi)(zhi),流線型外觀,真空(kong)吸附成型的優質(zhi)(zhi)高純氧化鋁多晶纖維固化爐膛,保(bao)溫性能好。
2、爐(lu)子(zi)底(di)部裝有一對滑(hua)軌,移動平穩,可以手動從一端滑(hua)向另一端,實(shi)現(xian)快速的(de)加(jia)熱(re)和冷卻(que)。爐(lu)蓋(gai)可開啟,可以實(shi)時觀察(cha)加(jia)熱(re)的(de)物料。
3、采用高(gao)純石(shi)英管(guan),高(gao)溫下化(hua)學穩定性強,耐腐蝕,熱膨脹(zhang)系數極小。
4、采用(yong)SUS304不銹鋼快速(su)法蘭(lan),通過用(yong)高溫“O”型圈緊密(mi)密(mi)封可(ke)獲(huo)得高真(zhen)空,一個卡箍就能完成法蘭(lan)的連接(jie),放、取物料方便快捷。
5、加熱元件采用康(kang)奈(nai)爾發(fa)熱絲,表面負荷高、經久耐(nai)用。設計(ji)溫度1200℃,升溫速(su)率10℃/min。
6、可(ke)選配多路(lu)質量(liang)(liang)流(liu)量(liang)(liang)計,數字顯示、氣(qi)(qi)體流(liu)量(liang)(liang)自動(dong)控(kong)制;內置不銹鋼混氣(qi)(qi)箱(xiang),每路(lu)氣(qi)(qi)體管路(lu)均配有逆(ni)止閥,可(ke)通過控(kong)制面板上的旋鈕(niu)來調節氣(qi)(qi)體流(liu)量(liang)(liang)。
7、等離(li)子射頻(pin)電源:大射頻(pin)功率(lv)達500W,輸出頻(pin)率(lv)13.56MHz±0.005%,輸入電源 208-240VAC, 單相50/60Hz。
三、技術參數(shu)
型(xing)號 | HTF1200-2.5/20-2M-LV-PE | HTF1200-5/20-4M-LV-PE | HTF1200-6/40-2M-HV-PE | HTF1200-8/40-4M-HV-PE |
設計溫度(℃) | 1200 | 1200 | 1200 | 1200 |
控溫精度(du)(℃) | ±1 | ±1 | ±1 | ±1 |
加熱(re)區直徑(jing)(mm) | 25 | 50 | 60 | 80 |
加熱(re)區長(chang)度(mm) | 200 | 200 | 400 | 400 |
加熱(re)管長度(mm) | 450 | 450 | 1000 | 1000 |
恒(heng)溫區長度(mm) | 80 | 80 | 150 | 150 |
額(e)定電壓(V) | 220 | 220 | 220 | 220 |
額定功(gong)率(KVA) | 1.2 | 1.2 | 3 | 3 |
射頻電(dian)源(yuan)功率(W) | 5~300 | 5~300 | 5~500 | 5~500 |
真空(kong)機組(zu) | HTF-101 | HTF-101 | HTF-104 | HTF-104 |
供氣系統(tong) | HTF-2F | HTF-4F | HTF-2M | HTF-4M |
PECVD系統是一種(zhong)基于等(deng)離子體化學氣(qi)相沉積技術的薄(bo)膜沉積設備,能夠對各種(zhong)材料進行(xing)薄(bo)膜沉積,包括金屬、半導體、絕緣(yuan)體等(deng)。PECVD技術在微(wei)電子、光電、平(ping)板顯(xian)示、儲(chu)能等(deng)領(ling)域具有(you)重要(yao)的應用(yong)價值。