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產品中心C系列氣相沉積爐CVD/PECVD系統化學氣相沉積爐（CVD系統）
產品簡介
這款CVD系統集真空管式爐，多通道氣路系統和真空系統組成，可根據用戶需要設計生產（有雙溫區、三溫區、多溫區），可預抽真空（有高真空、低真空），通多種氣氛（供氣系統有質子流量器和浮子流量控制器）。性能可靠。控制電路選用模糊PID程控技術，具有控溫精度高，溫沖幅度小，性能可靠，簡單易操作等特點。
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一、產品應用
高真空CVD系統是一款專業在沉底材料上生長高質量石墨烯、碳納米管、碳化硅的設備，廣泛應用于在半導體、納米材料、碳纖維、碳化硅、鍍膜等新材料新工藝領域。
CVD系統
二、產品特點
高真空CVD系統主要由高溫腔體、石英管、石英支架、氣路系統、分子泵機組、自動化控制系統、冷卻系統等組成。
1、沉底材料可采用銅箔、石墨等;
2、生長腔體采用進口高純石英管，配石英支架、為石墨烯等材料的生長提供潔凈環境;
3、爐膛采用進口高純氧化鋁多晶體纖維，不易掉粉、壽命長且保溫性能好。加熱絲采用優質摻鉬鐵鉻鋁合金加熱絲，溫場均勻，能耗低；
4、密封法蘭均采用不銹鋼材質，配水冷套，可連續長時間工作;
5、氣路系統采用兩路質量流量計(可拓展多路),配預混系統;
6、氣體種類： He/Ar、C2H2、NH3、N2, H2、PH3、GeH4、B2H6；
7、溫度、氣體、真空、冷卻水等通過PLC控制，通過PC實時控制和顯示相關的實驗參數，自動保存實驗參數，也可采用手動控制；
8、系統采用集成化設計，控制系統、混氣罐、質量流量計等均內置在箱體內部，占地面積小。整體安裝四個可移動輪子，方便整體移動。
三、技術參數
|
型號
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HTF1200-2.5/20-2F-LV |
HTF1200-5/20-4F-HV |
HTF1200-6/40-2M-LV
|
HTF1200-8/40-4M-HV
|
|
設計溫度（℃） |
1200
|
1200
|
1200
|
1200
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|
控溫精度（℃） |
±1
|
±1
|
±1
| ±1 |
|
加熱區直徑（mm） |
25
|
50
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60
|
80
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|
加熱區長度（mm） |
200
|
200
|
400
|
400
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|
加熱管長度（mm） |
450
|
450
|
1000
|
1000
|
|
恒溫區長度（mm） |
80
|
80
|
150
|
150
|
|
額定電壓（V) |
220
|
220
|
220
|
220
|
|
額定功率(KVA) |
1.2
|
1.2
|
3
|
3
|
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真空機組 |
HTF-101
|
HTF-103
|
HTF-101
|
HTF-103
|
|
供氣系統 |
HTF-2F
|
HTF-4F
|
HTF-2M
|
HTF-4M
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